(G)DDR3显存可以看作是GDDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过GDDR3核心有所改进：GDDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较GDDR2明显降低。此外，GDDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持GDDR3显存。
      当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，GDDR3也不例外，GDDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下GDDR2为3/4/5。客观地说，GDDR3相对于GDDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但GDDR3的性能优势仍比较明显。